تونل زنی کلین فرمیون های جرم دار در گرافن دارای گاف انرژی

thesis
abstract

برای کاربردهای نانوالکترونیک، ماده گرافن به یک گاف انرژی در طیف انرژی خود نیاز دارد (همانند نیمه رساناهای متداوال). در این رساله با استفاده از معادله دیراک دوبعدی برای ذرات جرم دار، در گرافن دارای گاف انرژی حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی فرمیون های دیراک جرم دار از یک سد پتانسیل در یک نانوترانزیستور گرافنی درنظر n-p-n دوبعدی بدست آوردیم، که این ساختار می تواند بصورت یک پیوند گرفته شود. همچنین نشان دادیم برخلاف تونل زنی فرمیون های دیراک بدون جرم که عبور کامل را برای ذرات برای فرمیون های جرم دار کمتر از یک، و وابسته به ضریب باند t فرودی عمودی نتیجه می دهد، احتمال عبور انرژی گرافن می باشد. با مطالعه اثر اعمال کشش تک محوری بر ساختار گرافن می توان فهمید این ماده خصوصیات جالب توجهی برای کاربرد در ابزار نانومکانیکی و نانوالکترونیکی دارد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

تونل زنی کلین در ساختار فرومغناطیس-گرافن

با استفاده از معادله دیراک دوبعدی جرم دار حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی کلین فرمیون های دیراک از میان سد دوبعدی در گرافن تک لایه را بدست می اید. و معلوم می شود که بر خلاف تونل زنی فرمیون های دیراک بدون جرم که عبور کامل را برای ذرات فرودی عمودی نتیجه می دهد، احتمال عبور ، به غیر از بعضی شرایط تشدید که سد پتانسیل کاملاَ شفاف کاملاَ عمل می کند، در این مورد، کمتر از یک و وابسته به شاخص ...

رسانش اسپینی گرافین گاف دار

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

full text

اثر گاف انرژی در رسانندگی گرافین تک لایه گاف دار

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

15 صفحه اول

تأثیر نوع نانو نوار زیگزاگ و دسته صندلی گرافن بر ضریب عبور و گاف انرژی

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

full text

اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

full text

اتصال پایه گرافن فرو مغناطیس/عایق/ابررسانا با گاف انرژی

ساز و کار ابررسانایی به دنبال انتشار نظریه باردین- کوپر- شریفر در این زمینه آشکار شد که به نظریه معروف است. ساخت اخیر گرافن، تک لایه ای از گرافیت توجه زیادی به خود جلب کرده و منجر به مطالعه خواص الکترونی آن شده است. از جمله اثرات قابل توجه میتوان به اثر هال کوانتومی، تونل زنی کلین، بازتاب خاص آندریف در گرافن اشاره کرد. به عبارت دیگر گرافن یک شبه هادی با گاف انرژی صفر است. عایق های توپولوژیکی، ...

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023